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肖特基二極管適合的電源應(yīng)用

作者: 深圳市遠志電子有限公司發(fā)表時間:2017-12-27 11:38:50瀏覽量:3841

由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的附加驅(qū)動因素。肖特基二極管功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與.....
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      由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的附加驅(qū)動因素。肖特基二極管功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。在英國肖特基二極管、日本和中國也存在類似的標準。DCM模式一般用于輸出功率在75W到300W之間的應(yīng)用;CCM模式用于輸出肖特基二極管應(yīng)用功率大于300W的應(yīng)用。當輸出功率超過250W時,PFC具有成本效益,因為其它方面(比如效率)得到了補償性的提高。主動PFC有兩種通用模式:使用三角形和梯形電流波形的不連續(xù)電流模式(DCM)和連續(xù)電流模式(CCM)。


  在輸入肖特基二極管85V交流電壓時,必須有較低的Rdson,因為傳導熱損失與輸入電壓的3次方成反比關(guān)系。這種MOSFET管的高頻工作能夠顯著減少升壓抑制。因此晶體管的快速開關(guān)特性是必須的。肖特基二極管應(yīng)用升壓二極管應(yīng)該具有快速開關(guān)、低Vf和低Qrr特性。為了減少MOSFET在接通時的峰值電流壓力,低Qrr是必須的。如果沒有這一特性,升壓MOSFET將增加溫度和Rdson,導致更多的功率損失,從而降低效率。在高功率密度應(yīng)用中效率是取得較小體積(30W/cm3英寸)和減少無源器件尺寸的關(guān)鍵因素。因此高的開關(guān)頻率必不可少。


  為了設(shè)計效率和外形尺寸優(yōu)的CCM PFC,升壓二極管還必須肖特基二極管應(yīng)用具備以下一些特性:較短的反向恢復和正向恢復時間;較小的儲存電荷Q;低的漏電流和較低的開關(guān)損耗。過壓和浪涌電流能力非常重要,它們能夠用來處理PFC中由啟動和交流回落引起的浪涌和過電流。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管(SiC肖特基二極管)才能實現(xiàn)。 


  由于SiC肖特基二極管的開關(guān)行為獨立于正向電流(Iload)、開關(guān)速度(di/dt)和肖特基二極管應(yīng)用溫度,因此這種肖特基二極管在設(shè)計中很容易使用。在設(shè)計中采用SiC肖特基二極管能夠?qū)崿F(xiàn)大的開關(guān)工作頻率(高可達1MHz),從而可以使用更小體積的無源器件。

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